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NMC612C 12英寸硅刻蚀机 NMC612C 12 Inch Si Etcher
浅沟槽隔离刻蚀和多晶硅栅极刻蚀是定义半导体器件尺寸的关键工序,微小的形貌和尺寸差异都会影响器件性能。必须精确控制整个晶圆的、晶圆与晶圆之间的、批次与批次之间的、设备与设备之间的均匀性和一致性。另外,随着技术节点的进步,对刻蚀形貌、关键尺寸、线宽粗糙度和残留物控制的要求越来越严格。为了应对上述挑战,需要对刻蚀工艺各项参数进行精确控制,对刻蚀机台各模块的性能提出严格的要求。具备可调节密度分布的等离子体源、精确的离子能量控制,多区静电卡盘技术、多区进气系统等功能,才能应对半导体集成电路刻蚀工艺...

应用领域

  90-40nm 集成电路干法刻蚀


产品优势

  • 精准的关键尺寸以及形貌控制能力,满足集成电路干法刻蚀90nm-40nm技术带的工艺要求。
  • 腔室结构对称性设计,具备良好的工艺均匀性和重复性。
  • 具有多种独立的可调节参数,工艺调试更具灵活性。
  • 多层堆叠膜层结构单腔室刻蚀能力。
  • 陶瓷镀层的工艺部件以减少缺陷和颗粒的产生。
  • 高量产能力,目前NMC612C刻蚀机已量产55nm STI产品累计超过20万片,良率均满足客户要求。
  • 自清洁技术,连续量产周期长。
  • 为客户量身定制硬件方案。
  • 软件量身定制,快速更新能力。



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