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NMC612M 12英寸氮化钛金属硬掩膜刻蚀机 NMC612M 12 Inch TiN Metal HardMask Etcher
  随着器件尺寸的不断缩小,沟槽的深宽比越来越大,对硬掩膜材料提出了更高的要求。传统的双大马士革工艺所采用的氮化硅或氧化层掩膜,由于和低k介电层之间的选择比不高,会导致在刻蚀完成后出现低k介电层顶部圆弧状轮廓以及沟槽宽度扩大,最终导致完成的金属线之间的间距过小,容易发生金属连线之间的桥接漏电或者金属连线之间的直接击穿。因此,传统掩膜已经无法满足在沟槽刻蚀的同时保护沟槽之间低k介质的要求,为了消除这一问题,引入了TiN金属硬掩膜双大马士革工艺。传统的金属刻蚀机台无法满足TiN刻蚀需求,必须要开发出满足TiN...

应用领域

  28-14nm氮化钛金属硬掩膜刻蚀


产品优势


  • 供同步脉冲双射频等离子源,在刻蚀形貌控制(Profile)、均匀性控制(Uniformity)、减少刻蚀损伤(Damage)、刻蚀选择比(Selectivity)提高等方面具有技术优势,可满足刻蚀工艺的各项需求指标。
  • 应用多接口平台技术,满足客户不同的腔室数量要求。
  • 腔室占地面积小,维护简单方便,气体种类齐全,可满足不同刻蚀工艺的需求。
  • 自主开发的软件系统和人性化的操作界面具有非常好的客户体验。
  • 先进的表面处理和陶瓷镀层技术,减少缺陷和颗粒的产生。
  • 拥有畅通的国内零部件供应渠道和生产加工基础,大幅降低用户的整机采购成本和备品备件消耗成本。




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