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DSE200系列等离子刻蚀机 DSE200 Series Plasma Etcher
  DSE 200设备是针对硅功率器件开发的专用刻蚀设备,主要用于8英寸以下IGBT、MOSFET及Super Junction中的Deep Trench刻蚀。不同于MEMS工艺的深硅刻蚀,DSE 200设备针对的是单步平滑刻蚀工艺,保证功率器件的电压性能。DSE 200设备针对研发/中试线/量产领域可以灵活配置平台方式。目前DSE 200已得到多家客户采购,设备稳定性、重复性、产品生产良率等均满足用户需求。

应用领域

  功率器件


产品优势

  • 中心/边沿独立MFC设计,保证8寸及以下工艺均匀性。
  • 采用2200L/s大抽速分子泵,工艺窗口更宽。
  • 独特设计的气体比例控制,可以实现刻蚀角度80°-90°可调。
  • 配置低频偏压,可实现高达25:1的单步平滑硅刻蚀工艺。
  • 腔室可加热至120℃,配备优化的Dryclean制程,保证腔室环境稳定。
  • 提供多种新工艺开发及解决方案。
  • 软件具有安全方便的权限管理,人性化的操作界面和完善的日志记录功能,支持工厂自动化(FA)。



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