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GDE C200系列等离子刻蚀机 GDE C200 Series Plasma Etcher
  GDE C200系列单片刻蚀机采用超高密度等立体源,刻蚀速率高、均匀性好,颗粒控制能力优异,易维护,性能稳定。其在GaN、SiC、SiO2、Al2O3等材料的刻蚀上性能优异、工艺窗口宽,易于同相关工艺整合。
  本刻蚀机已在多条产线验证成功,积累了丰富的刻蚀经验,能最大限度提高GaN和SiC功率器件的性能,同时保证性价比。

应用领域

  功率器件


产品优势

  • GaN RF器件的SiC背孔刻蚀
  • SiC功率器件的栅槽刻蚀、大终端斜坡刻蚀、标记刻蚀
  • GaN RF器件的的GaN快速刻蚀
  • SiO2刻蚀
  • SiN刻蚀
  • Al2O3刻蚀
  • AlN刻蚀



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