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GSE C200系列等离子刻蚀机 GSE C200 Series Plasma Etcher
  GSE C200系列单片刻蚀机采用超高密度等立体源,刻蚀速率高、均匀性好,颗粒控制能力优异,易维护,性能稳定。其在GaN、SiC、SiO2、Al2O3等材料的刻蚀上性能优异、工艺窗口宽,易于同相关工艺整合。
  本刻蚀机已在多条产线验证成功,积累了丰富的刻蚀经验,能最大限度提高GaN和SiC功率器件的性能,同时保证性价比。

应用领域:

  功率器件、失效分析、光通信器件


适用工艺:

  • GaN power器件GaN低速低损伤栅槽刻蚀
  • GaAs VCSEL器件台面刻蚀
  • GaAs HBT/pHEMT 台面和背孔刻蚀
  • InP光栅和波导刻蚀



产品优势:

  • 可定制化高精度偏压射频—精确控制DC Bias,实现GaN等材料的低速低损伤刻蚀。
  • 下电极加热—-20oC~180oC,满足III-Vs刻蚀需求。
  • 自动匹配射频系统—实现快速、有效、准确匹配,保证工艺可重复性。
  • 提供多种新工艺开发及解决方案。



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