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NMC508DTE 8英寸硅深槽刻蚀机 NMC508DTE 8 Inch Si Trench Etcher
NMC508DTE设备是针对硅功率器件开发的专用刻蚀设备,主要用于8英寸及以下IGBT、MOSFET及Super Junction中的Deep Trench刻蚀。不同于MEMS工艺的深硅刻蚀,NMC508DTE设备针对的是单步平滑刻蚀工艺,保证功率器件的电压性能。

应用领域:

  功率半导体


适用工艺:

  IGBT、MOSFET、Super Junction


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