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NMC508DTE 8英寸硅深槽刻蚀机 NMC508DTE 8 Inch Si Trench Etcher
NMC508DTE设备是针对硅功率器件开发的专用刻蚀设备,主要用于8英寸及以下IGBT、MOSFET及Super Junction中的Deep Trench刻蚀。不同于MEMS工艺的深硅刻蚀,NMC508DTE设备针对的是单步平滑刻蚀工艺,保证功率器件的电压性能。

应用领域

 功率器件

适用工艺

    IGBT、MOSFET、Super Junction

产品优势

  • 中心/边沿独立MFC设计,保证8寸及以下工艺均匀性。
  • 独特设计的气体比例控制,可以实现刻蚀角度80°-90°可调。
  • 配置低频偏压,可实现高达25:1的单步平滑硅刻蚀工艺。
  • 设备关键部件均采用电磁场屏蔽保护,具有优良的等离子体均匀性。
  • 采用200-800nm全光谱OES终点监测系统,可针对不同的工艺应用灵活配置终点监测方案。
  • 软件具有安全方便的权限管理,人性化的操作界面和完善的日志记录功能,支持工厂自动化(FA)。


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