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HORIS L6371 多功能 LPCVD HORIS L6371 Multifunction LPCVD
  HORIS L6371 多功能 LPCVD是用加热的方式,在低压条件下使气态化合物在基片表面反应并淀积形成稳定固体薄膜,可应用于淀积SixNy(含低应力)、SiO2LTOTEOS)、Poly-Si等多种薄膜。

  与传统方式对比,HORIS L6371 多功能 LPCVD 备通过独特的气路、腔体结构设计,配合相应的工艺配方,成功实现了薄膜应力在较大范围内可控制,解决了由于薄膜应力存在,引起的变形、光学和力学性能改变 的问题;特殊设计的过滤系统,解决了传统腔体和器件易受污染的问题,使之具有良好的洁净度,改善产品的电性能和良率;具备良好的薄膜工艺均匀性、重复性; 设备系统易于维护;具有丰富行业经验和成熟的配套工艺,可满足客户对多种薄膜淀积工艺需求。

应用领域

  集成电路 IC、微机电系统 MEMS、功率器件 POWER


适用工艺:

  二氧化硅(LTOTEOS)、氮化硅(Si3N4(含低应力))、多晶硅(LP-POLY)、磷硅玻璃(BSG)、硼磷硅玻璃(BPSG)、掺杂多晶硅、石墨烯、碳纳米管等多种薄膜



产品优势:

  • 独特的进气方式和分布,保证工艺成膜均匀性和重复性。
  • 成熟的工艺控制满足客户对TEOS低压热解法、常规氮化硅和低应力氮化硅、不同成膜速率多晶硅等不同LPCVD工艺高端需求。
  • 冷阱、粉尘过滤等特殊设计,提高设备腔室和器件洁净度,易于维护,PM间隔长。
  • 良好的颗粒控制技术。
  • 特殊炉体设计,低能耗,高精度温度场控制,具有良好的温度重复性。
  • 模块化部件设计,便于在洁净室内安装与启动生产。
  • 软件符合semi标准,功能齐全、界面友好,具备MES功能(可选项)。
  • 具有多种安全报警保护、安全互锁、历史记录、操作日志查询功能。
  • 1976年研制开发国内第一台LPCVD设备,为国内设备与工艺最成熟LPCVD设备供应商,拥有几十家客户成功应用案例。
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