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THEORIS 302/FLOURIS 201 立式退火炉 THEORIS 302/FLOURIS 201 Vertical Anneal Furnace

  立式退火炉(300mm/200mm)是在中低温条件下,通入惰性气体(N2),消除硅片界面处晶格缺陷和晶格损伤,优化硅片界面质量的一种设备。

  在集成电路制造工艺过程中,硅片界面处存在的电荷堆积会影响到产品的电学特性与良率。通过退火工艺,能够良好的实现改善晶格结构的工艺目的。为满足不断发展的集成电路制程微细化需求,THEORIS设备提供高精度的温度控制算法、严格的金属控制指标以及稳定的传输控制系统等解决方案,兼顾了工艺目标的实现与生产可靠性的保障。

应用领域:

  28nm及以上集成电路、先进封装、功率器件


适用工艺:

  高,中,低温退火


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