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原子层沉积设备ALD
  原子层沉积是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法,是制备薄膜材料的重要方法之一。它最大的特点是自限制性,这也决定了原子层沉积技术具有厚度高度可控、优异的均匀性及良好的保形性等众多优点,尤其擅长高深宽比图形填充。原子层沉积技术被广泛应用在HKMG、Double Pattern、Dielectric、MEMS、Memory等多个领域。该技术已经成为制备各种功能薄膜的重要手段。北方华创微电子突破了前驱物输运系统控制技术、均匀稳定的反应室热场及流场控制技术、等离子产生与控制技术、脉冲射频的快速调频匹配技术、高效无损伤原位清洗技术及软件控制技术等多项关键技术,建立了具有自主知识产权的核心技术优势。北方华创微电子先后研制了具有自主知识产权的热原子层沉积(Thermal ALD)设备、等离子体增强原子层沉积(PEALD)设备两个系列产品,可沉积Oxide(HfO2/Al2O3)、Metal(TiN/TaN)、PE-SiN、PE-SiO2等多种薄膜,2018年形成首台设备销售,实现了国产集成电路领域高端薄膜制备设备零的突破。