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锂离子电池极片制造有哪些工序
  极片制造主要包括制浆、涂布、辊压、分切,其中制浆是将正、负极原材料(粉状)各自添加溶剂、粘结剂等化学物质进行混合、搅拌,得到一定粘度的正、负极浆料,搅拌过程需在真空状态下进行,避免浆料受到污染、混入气泡;涂布是将搅拌完成的浆料通过涂布机构均匀涂覆到铝箔或铜箔的正反面上并进行烘干,涂覆精度要求高,极差需控制在几个微米内,烘干时不能过分干燥或干燥程度不够,否则将影响后续电芯的制作;辊压顾名思义是将烘干的极片通过施加轧制力的对辊,增加极片涂层密实度,辊压过程对轧制力的控制至关重要,太大易损伤极片,太小则达不到要求的密实度;分切是用分切机将极片分切成各种规格的条状极片,以用于后续卷绕或叠片,切面毛刺、波浪边、掉粉是极片分切过程中重点控制的现象。
Particle量测的原理是什么?
  Particle量测机台采用的是无图案硅片表面缺陷检测系统,无图案硅片表面缺陷检测系统本身不能直接成像,而是通过收集硅片表面的散射光来确定缺陷的存在与否,并通过"关联曲线"将缺陷的散射光强度转化为缺陷的等效尺寸。
  检测仪器主要由(1)光学系统、(2)硅片运送及承载系统、(3)信号处理系统、(4)用户界面软件四部分构成。其中光学系统和硅片运送及承载系统是主体结构,负责扫描硅片并生成扫描信号。信号处理系统由系列电路板组成,主要作用是对扫描信号进行分析处理。数据处理的结果被传送到用户界面软件,经过软件处理后以各种形式显示在用户面前。
  该检测仪器所采用的是暗场(Dark Field)式光学系统。所谓光学暗场,就是在光束入射目标后,忽略掉其一次直接反射的光,而只收集其余光线的一种光路类型,本仪器收集的是除去其直接反射光以外的散射光线。
晶圆掺杂物对氧化速率有什么影响?
用来制造芯片的晶圆都是经过掺杂的,另外在以后的工艺中,还要用热扩散或离子注入工艺完成掺杂。那么掺杂元素和浓度对氧化生长速率都有影响。例如,高掺杂浓度的硅表面要比低掺杂浓度的硅表面氧化速率快。而且高掺杂浓度的硅表面上的氧化层比在其他层上生长的氧化层的密度低。
  另一个对氧化生长速率有影响的是氧化完成后,硅中掺杂原子的分布。我们知道氧化时O2原子进入Si中与Si原子发生反应生成SiO2,问题是“在硅转化成二氧化硅的同时,掺杂原子发生了什么?”,答案取决于掺杂物的导电类型。N型掺杂物(P、As、Sb)他们在硅中比在二氧化硅中有更高的溶解度。当氧化层碰到它们时,这些杂质将进入硅中,在硅与二氧化硅之间,就象铲雪机推一个大雪堆一样,结果是,N型掺杂物在硅与二氧化硅之间比在晶体里有更高的密度(称之为二氧化硅的排磷作用)。
  当掺杂物是P型材料的硼(B)元素时,就会产生相反的结果。即硼原子被拉入二氧化硅层,导致在SiO2与Si交界处的硅原子被B 原子消耗尽(称之为二氧化硅的吸硼作用)。
什么是晶体缺陷?
晶体内的原子是按一定的的原则周期性地排列着的。如果在晶体中的一些区域,这种排列遭到破坏,称这种破坏为晶体缺陷。晶体缺陷对半导体材料的使用性影响很大,在大多数的情况下,它使器件性能劣化直至失效。因此在材料的制备过程中都要尽量排除缺陷或降低其密度。晶体缺陷的控制是材料制备的重要技术。
  晶体缺陷的种类:
(1)点缺陷,如空位、间隙原子、反位缺陷、替位缺陷和由它们构成的复合体。
(2)线缺陷,呈线状排列,如位错就是这种缺陷。
(3)面缺陷,呈面状,如晶界、堆垛层错、相界等。
(4)体缺陷,如空洞、夹杂物、杂质沉淀物等。
(5) 微缺陷,几何尺寸在微米级或更小,如点缺陷聚集物等。
何谓退火?
退火:也叫热处理,集成电路工艺中所有的在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过程都可以称为退火。
a) 激活杂质:使不在晶格位置上的离子运动到晶格位置,以便具有电活性,产生自由载流子,起到杂质的作用;
b) 消除损伤:离子植入后回火是为了修复因高能加速的离子直接打入芯片而产生的损毁区(进入底材中的离子行进中将硅原子撞离原来的晶格位置,致使晶体的特性改变)。而这种损毁区,经过回火的热处理后即可复原。这种热处理的回火功能可利用其温度、时间差异来控制全部或局部的活化植入离子的功能;
c) 氧化制程中的回火主要是为了降低界面态电荷,降低SiO2的晶格结构。
LPCVD是什么?
化学气相沉积(CVD)是利用气态物质通过化学反应在基片表面形成固态薄膜的一种成膜技术。CVD反应是指反应物为气体而生成物之一为固体的化学反应。这是最常在半导体制程中使用的技术。通常化学气相沉积法包含有下列五个步骤:
1. 反应气体向基片表面扩散;
2. 反应气体吸附于基片表面;
3. 在基片表面发生化学反应;
4. 在基片表面产生的气相副产物脱离表面,向空间扩散或被抽气系统抽走;
5. 基片表面留下不挥发的固相反应产物——薄膜。
最常用的化学气相沉积法有常压化学气相沉积法(Atmospheric-pressure CVD,APCVD)、低压化学气相沉积法(Low-pressure CVD,LPCVD)和等离子增强化学气相沉积法(Plasma-enhanced CVD,PECVD)
什么是质量流量计?
质量流量计(MFM)属于一种工业自动化仪表,可以应用到对各种气体(含蒸汽)进行测量,目前常用的测量原理有:量热式、角动量式、振动陀螺式、马格努斯效应式和科里奥利力式,NAURA研制生产的是量热式质量流量计,质量流量计(MFM)可以精密测量气体的质量流量。
什么是质量流量控制器?
质量流量控制器属于一种工业自动化仪表,它的国际通称“MASS FLOW CONTROLLER”(简称MFC),它通常由流量传感器、流量调节阀、放大控制电路和分流器控制通道等部件组成。它的工作电源及流量显示和设定等操作由与其配套的流量显示电源提供。
质量流量传感器采用毛细管传热温差量热法原理测量气体的质量流量(无需温度和压力补偿)。将传感器加热电桥测得的流量信号送入放大器放大,放大后的流量测量电压与设定电压进行比较,再将差值信号放大后去控制调节阀,通过闭环控制来控制通过的流量,并使之与设定的流量相等。分流器决定主通道的流量。