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北方华创化合物半导体解决方案助力小器件大发展
发布时间:2019-03-28
  随着5G通信商业化进程的不断加快,人工智能、3D传感器、IoT、云计算、电动汽车、轨道交通、充电桩等应用不断深入人类生活的方方面面,化合物半导体对人类社会和科技发展影响越来越巨大。

  在化合物半导体领域中,GaN器件能够实现下一代高频通信网络所需的高功率要求,随着5G通信、智能物联网等新兴技术的蓬勃发展,GaN器件应用前景广阔。

  北方华创针对GaN器件的正面刻蚀工艺,自主研发了GSE C200系列单片ICP刻蚀机,针对不同的GaN器件结构,可实现同时兼顾产能与部分特定器件低速、低损伤刻蚀要求。北方华创研发的独特“逐层刻蚀”技术,具有刻蚀速率与刻蚀深度精确可控、均匀性好、表面粗糙度小、刻蚀损伤低、无ARDE效应等优点。GSE C200系列单片ICP刻蚀机,兼容8 inch及以下晶圆尺寸,其灵活的配置可满足研发/中试线/量产的要求。



北方华创“逐层刻蚀”技术

  SiC器件拥有高耐压、低损耗、高效率等特性,并且在众多方面具有广阔的应用前景,一直被视为“理想器件”而备受期待。


  北方华创针对SiC器件的背孔刻蚀工艺,研发了SW GDE C200系列单片ICP刻蚀机。该设备除可实现SiC深孔高速、均匀刻蚀以外,通过独特的工艺调节,可获得圆滑的刻蚀形貌控制;通过一系列更针对性的设计,可帮助客户获得更高的MTBC。同时,SW GDE C200系列刻蚀机也是SiC MOSFET 栅槽刻蚀和SiC二极管小角度台面刻蚀的完美解决方案。除了SiC材料,该设备还可应用于SiO2、SiN材料的刻蚀。目前该设备已通过客户技术验证,获得高度认可。


  北方华创紧跟产业发展需求,在化合物半导体领域可提供SiC刻蚀、GaN刻蚀、介质刻蚀、高温炉、LPCVD、PECVD以及PVD等关键设备,并且已经在多条生产线上量产,为客户创造价值。

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