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着力功率器件,北方华创推动产业大发展
发布时间:2019-08-01
  近日,北方华创微电子参加了第十三届半导体行业协会分立器件年会暨2019年中国半导体器件技术创新及产业发展论坛,此次论坛由中国半导体行业协会主办,吸引了业内来自全国各地的多个单位的专家学者参会交流。



  董博宇博士代表北方华创发表了题为《功率器件领域硅外延工艺设备解决方案》的报告演讲。随着智慧交通、5G通信、消费电子等新兴市场的迅猛发展,和功率器件的需求持续扩张,广泛应用于功率器件衬底和制程技术的先进外延工艺解决方案正在被用户极大关注。



  外延工艺主要为功率器件提供缓冲层、漂移层以及基区等,广泛应用于功率器件所使用的衬底和制程技术。例如IGBT一般需要薄/厚双层外延工艺;VDMOS需要轻掺厚膜外延工艺;双极性器件需要埋层外延工艺等。最近发展迅速的具有超结结构的功率器件对外延工艺要求更高,多层外延生长/注入制程要求较好厚度均匀性与电阻率均匀性;SiC基场截止型JFET器件,要求在SiC外延层具备较低的缺陷密度;GaN基高迁移率功率器件,要求材料使用MOCVD的方式生长GaN外延以获得较高的晶格匹配。

  微电子产业对硅外延材料电阻率均匀性、厚度均匀性和缺陷密度等方面有着越来越严格的要求,以保证功率器件的耐压、耐击穿等电学性能,而硅外延设备决定着硅片外延材料的制造水平。北方华创针对客户不同的需求分别开发了SES680A多片式硅外延设备以及Esther200单片式硅外延设备。

  其中,SES680A硅外延设备可以实现高质量的外延薄膜生长,适用于厚度5-130µm范围的外延工艺,N型、P型掺杂精确可调。该设备具有多项专利创新技术,包括中频感应加热温度控制技术,独特的进气结构设计技术和传输控制技术等。

  Esther200单片硅外延系统具有先进的红外加热控制技术和加热模块设计,可实现温度的快速升降和温度场的精确控制,使系统具备优异的工艺重复性和设备稳定性,从而获得良好的厚度均匀性、电阻率均匀性,零滑移线和低缺陷密度的外延层生长。同时,独特的腔室结构设计使得该系统可实现常/减压工艺间的快速切换,以满足客户不同的工艺需求,提高了器件设计者在优化器件性能方面的灵活性。

  此外,面向需求广泛的功率器件领域,北方华创还可提供SiC刻蚀、GaN刻蚀、介质刻蚀、高温炉、LPCVD、PECVD以及PVD等关键设备。

  北方华创将继续秉持以客户需求为导向不断创新的发展理念,把握机遇,迎接挑战,为半导体产业注入源源不断的科技力量,助力产业发展,提供无限可能!

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