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GDE系列等离子刻蚀机 GDE Series Plasma Etcher
  GDE200/230设备是针对光信息器件、先进封装及功率器件开发的介质刻蚀设备,主要用于8英寸及以下SiO2、SiN及SiC刻蚀,以及8-12英寸先进封装SiO2刻蚀。设备针对研发/中试线/量产领域可以灵活配置平台方式。GDE200/230采用独特设计的等离子源结构,能够实现先进封装领域SiO2掩膜刻蚀、底部开窗等工艺高速、高产能的需求,同时保证200mm/300mm晶圆的均匀性控制。针对光波导工艺,可以实现良好的形貌控制,保证产品良率。针对碳化硅功率器件,其独特的工艺制程可以实现圆滑的刻蚀形貌。

应用领域

  先进封装,光通信器件,功率器件


产品优势

  • 腔室可加热至120℃,保证腔室环境稳定。
  • 采用大抽速分子泵,工艺窗口更宽。
  • 封装工艺配置高性能静电卡盘,实现SOG晶圆的稳定吸附。
  • 光波导工艺配置独特设计的静电卡盘和冷却机构,保证产品边沿良率稳定可靠。
  • 碳化硅工艺采用独特设计的工艺制程,实现圆滑的侧壁处理。
  • 设备腔室材料采用无腐蚀耐用性材料,节省客户使用成本。
  • 软件具有安全方便的权限管理,人性化的操作界面和完善的日志记录功能,支持工厂自动化(FA)。



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