近期，北方华创12英寸高介电常数原子层沉积设备Scaler HK430实现稳定量产，获得批量订单，市占率不断攀升，赢得客户信任。这标志着北方华创CVD（化学气相沉积）先进工艺设备解决方案的成功应用，为华创进一步拓宽高端设备赛道注入新的动力。
为了突破晶体管尺寸微缩的工艺瓶颈，业界采用新型High-K材料HfO2（氧化铪）作为栅介质层，结合金属栅极技术，研发出HKMG(High-K/Metal Gate高介电常数/金属栅极)工艺。该工艺在45nm及以下节点占据核心地位，CVD/ALD（原子层沉积）工艺设备成为HKMG工艺的重要支撑。北方华创凭借多年的原子层沉积技术积累，创新推出12英寸高介电常数原子层沉积设备Scaler HK430，凭借领先的性能优势、产能优势，以及应用于国内12英寸主流Fab（半导体制造）厂的实践经验，成为国内HiK量产生产线的主力机台。
Scaler HK430设备采用Cross Flow（横流）的进气方式，能够实现更好的工艺稳定性控制，运用旋转Heater（加热基座）结构设计，能够达成更好的薄膜沉积均匀性及优异的颗粒控制表现；在结构系统方面，采用每腔单片式设计，在气流场均匀性、温度控制等方面表现优异，单片工艺结果一致性大幅提高；此外，反应源采用双源瓶设计，能够实现更高的Uptime（运行时间），同时源瓶采用真空加热方式，温度控制更加精准，安全系数更高，相较于同类型产品具备更好的颗粒控制能力；在软件方面，通过全自动流程及相关数据监控、安全互锁设定等为实现稳定量产提供更好的运行环境，与同类型产品相比，具备更高的安全性及稳定性。广泛应用于Logic（逻辑）、DRAM（动态随机存储器）等领域。
未来，北方华创将矢志不渝地加快科技创新的实践步伐，不断推进CVD先进工艺设备的布局研发，为半导体行业的多元化技术需求提供更为高效的解决方案，推动半导体装备制造技术的发展迈向新高度。
