外延设备新高度！北方华创化合物外延设备引领市场热潮

2025-07-01

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北方华创

化合物外延设备引领市场热潮

近日，北方华创自主研发的两款MOCVD（金属有机物化学气相沉积）外延设备（型号：Satur N800/ Satur V700）顺利通过行业龙头客户验收，并获得批量重复订单。

北方华创自2010年启动外延装备的研发以来，经过十余年的技术沉淀与创新突破，实现了在硅薄膜外延设备领域4英寸到12英寸全覆盖，产品包括8英寸及以下的单片及多片大产能硅外延设备、12英寸硅外延设备，取得了多项技术创新和产业化成果，累计销售突破千腔，先后荣获“北京市科学技术进步一等奖”、首届“国家卓越工程师团队”、“北京市模范集体”等重量级荣誉，成为中国硅薄膜外延装备领域的引领者。

凭借在硅外延设备领域的深厚积累，北方华创积极拓展化合物半导体外延设备研发，形成了GaN（氮化镓）、GaAs（砷化镓）、SiC（碳化硅）等化合物半导体材料外延设备的系列化产品。

MOCVD设备是一种利用金属有机化合物进行金属输送的气相外延生长设备。它需要在原子尺度上实现复杂材料的纳米精度控制、量子级界面控制。此外，还需具备高真空环境和高精度温控系统，以确保材料的纯度和生长的稳定性。

Satur系列MOCVD设备

GaN MOCVD外延设备

北方华创GaN MOCVD外延设备——Satur N800，面向8英寸硅基氮化镓功率器件的特殊需求设计，具备大面积均匀温度场、大范围稳定可调气流场，以及多片式（Batch）大产能和自动化配置，能够满足化合物半导体先进器件对外延层组分、厚度和掺杂均匀性的高要求。目前，Satur N800已进入国内多家化合物半导体客户端，顺利通过芯片验证并稳定运行，实现批量出货，并不断获得重复订单。

GaAs MOCVD外延设备

北方华创GaAs MOCVD外延设备——Satur V700，成功突破了气流场、温度场、副产物控制等关键技术，具备高均匀性、大产能、低成本等优势。该设备不仅能够满足Micro LED行业的痛点需求，还可广泛应用于射频、光电子等领域。目前，Satur V700已批量出货多家客户，并通过了严格的芯片验证，凭借其良好性能，持续获得客户的大量重复订单。

SiC外延设备

北方华创SiC外延设备——MARS iCE115/120S，工艺调试简单，维护操作便捷，一经推出便迅速占领市场。其中MARS iCE120S兼容6/8英寸SiC外延，具备C2C^[1]能力，在SiC产业由6英寸向8英寸转变的过渡期，为市场提供了良好的产品选择。

[1]指的是自动化装载模块，这是一种用于晶圆传输的技术。

MARS iCE120S

随着SiC外延技术的逐渐成熟，北方华创推出多片式6/8英寸兼容的SiC外延产品——Satur C960。该设备采用全新自主开发的温控架构、真空尾气系统以及多功能模块化设计，能够实现单炉9片6英寸或6片8英寸外延，具有高产能、低成本和长运行时间（Uptime）等优势，进一步拓展了SiC外延产品市场。

Satur C960

奋楫扬帆，面对未来化合物半导体向高集成度、高效能和低能耗发展的趋势，北方华创将以前瞻技术与创新服务为核心，提供全面外延解决方案，助力客户实现技术突破与成本优化，共同推动产业进步，开启产业新篇章。

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