低压化学气相淀积（LPCVD）是在低压和特定温度条件下通过气体混合发生化学反应，在硅片表面淀积一层固体膜的工艺。例如：氮化硅薄膜淀积、多晶硅薄膜淀积、非晶硅薄膜淀积、二氧化硅薄膜淀积等。
  在集成电路制造技术特征尺寸越来越小的趋势下，立式LPCVD炉管设备(300mm/200mm)的温度均匀性差、颗粒控制指标，对产品电气特性和良率将产生越来越大的影响，因而对高端LPCVD炉管设备的性能提出了更高的要求，包括高精度温度场控制、高精度压力控制、良好的工艺均匀性、先进的颗粒控制技术、完整的工厂自动化接口、高速的数据采集算法等。对未来技术发展而言，会出现更高均匀性、更少颗粒、更高产能、更智能控制的进一步需求，这些需求将带来对高端LPCVD炉管设备进一步的挑战。