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GSE C200系列等离子刻蚀机 GSE C200 Series Plasma Etcher
GSE C200系列单片刻蚀机采用超高密度等立体源，刻蚀速率高、均匀性好，颗粒控制能力优异，易维护，性能稳定。其在GaN、SiC、SiO2、Al2O3等材料的刻蚀上性能优异、工艺窗口宽，易于同相关工艺整合。
本刻蚀机已在多条产线验证成功，积累了丰富的刻蚀经验，能提高GaN和SiC功率器件的性能，同时保证性价比。
本刻蚀机已在多条产线验证成功，积累了丰富的刻蚀经验，能提高GaN和SiC功率器件的性能，同时保证性价比。
应用领域：
功率半导体、失效分析、光通信器件
适用工艺：
- GaN power器件GaN低速低损伤栅槽刻蚀
- GaAs VCSEL器件台面刻蚀
- GaAs HBT/pHEMT 台面和背孔刻蚀
- InP光栅和波导刻蚀