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广泛应用在高附加价值微电子产业,用于SixNy(含低应力)、SiO2、Poly-Si等薄膜淀积,满足多种高端成膜需求。
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THEORIS 302 / FLOURIS 201 低压化学气相沉积系统是高性能、高产能、低维护成本的专业LPCVD炉管设备。
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Esther 200是兼容6/8英寸,可实现常压和减压硅外延工艺的专业设备。

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适用于光伏领域SiNx、SiOx、SiONx、AlOx薄膜淀积。单台产能大于160MW,工艺效果优异。具备快速镀膜功能

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THEORIS 302 / FLOURIS 201 低压化学气相沉积系统是高性能、高产能、低维护成本的专业LPCVD炉管设备。

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广泛应用在高附加价值微电子产业,用于SixNy(含低应力)、SiO2、Poly-Si等薄膜淀积,满足多种高端成膜需求。
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EPEE550 是应用于LED、Power、MEMS等领域氧化硅SiO2、氮化硅SiNx、氮氧化硅SiON薄膜沉积的PECVD设备。

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EPEE550 是应用于LED、Power、MEMS等领域氧化硅SiO2、氮化硅SiNx、氮氧化硅SiON薄膜沉积的PECVD设备。
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EPEE i800 PECVD系统,是实现LED领域PSS复合衬底SiO2厚膜工艺高速沉积的专业镀膜设备。
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APS系列SiC晶体生长系统,是实现高质量SiC晶体生长、高纯度原料合成、高温晶体热处理的专业设备。

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广泛应用在高附加价值微电子产业,用于SixNy(含低应力)、SiO2、Poly-Si等薄膜淀积,满足多种高端成膜需求。
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EPEE550 是应用于LED、Power、MEMS等领域氧化硅SiO2、氮化硅SiNx、氮氧化硅SiON薄膜沉积的PECVD设备。
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APS系列SiC晶体生长系统,是实现高质量SiC晶体生长、高纯度原料合成、高温晶体热处理的专业设备。
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THEORIS 302 / FLOURIS 201 低压化学气相沉积系统是高性能、高产能、低维护成本的专业LPCVD炉管设备。
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Esther 200是兼容6/8英寸,可实现常压和减压硅外延工艺的专业设备。