广泛应用在高附加价值微电子产业，用于SixNy（含低应力）、SiO2、Poly-Si等薄膜淀积，满足多种高端成膜需求。

SES680A是一款常压硅外延设备，6/8寸兼容、工艺性能优异、连续生产稳定。

THEORIS 302 / FLOURIS 201 低压化学气相沉积系统是高性能、高产能、低维护成本的专业LPCVD炉管设备。

Esther 200是兼容6/8英寸，可实现常压和减压硅外延工艺的专业设备。

适用于光伏领域SiNx、SiOx、SiONx、AlOx薄膜淀积。单台产能大于160MW，工艺效果优异。具备快速镀膜功能

THEORIS 302 / FLOURIS 201 低压化学气相沉积系统是高性能、高产能、低维护成本的专业LPCVD炉管设备。

广泛应用在高附加价值微电子产业，用于SixNy（含低应力）、SiO2、Poly-Si等薄膜淀积，满足多种高端成膜需求。

EPEE550 是应用于LED、Power、MEMS等领域氧化硅SiO2、氮化硅SiNx、氮氧化硅SiON薄膜沉积的PECVD设备。

EPEE550 是应用于LED、Power、MEMS等领域氧化硅SiO2、氮化硅SiNx、氮氧化硅SiON薄膜沉积的PECVD设备。

EPEE i800 PECVD系统，是实现LED领域PSS复合衬底SiO2厚膜工艺高速沉积的专业镀膜设备。

APS系列SiC晶体生长系统，是实现高质量SiC晶体生长、高纯度原料合成、高温晶体热处理的专业设备。

广泛应用在高附加价值微电子产业，用于SixNy（含低应力）、SiO2、Poly-Si等薄膜淀积，满足多种高端成膜需求。

SES680A是一款常压硅外延设备，6/8寸兼容、工艺性能优异、连续生产稳定。

EPEE550 是应用于LED、Power、MEMS等领域氧化硅SiO2、氮化硅SiNx、氮氧化硅SiON薄膜沉积的PECVD设备。

APS系列SiC晶体生长系统，是实现高质量SiC晶体生长、高纯度原料合成、高温晶体热处理的专业设备。

THEORIS 302 / FLOURIS 201 低压化学气相沉积系统是高性能、高产能、低维护成本的专业LPCVD炉管设备。

Esther 200是兼容6/8英寸，可实现常压和减压硅外延工艺的专业设备。