DSE系列刻蚀机是应用于8英寸及以下功率器件领域深硅刻蚀工艺的干法刻蚀机。

GDE C200系列单片刻蚀机是应用于GaN和SiC功率器件领域的介质刻蚀设备，适用8英寸及以下晶圆。

GSE系列刻蚀机是应用于8英寸及以下III-V族半导体、失效分析和研发等领域多种材料刻蚀工艺的干法刻蚀机。

广泛应用在功率器件产业，用于IGBT、MOSFET及Super Junction中的Deep Trench刻蚀

应用于集成电路、功率器件、MEMS等领域的8寸PVD磁控溅射设备

设备满足原子层沉积工艺要求；可根据需求量身定制硬件升级方案。

应用于先进封装、集成电路、功率器件、MEMS、LED等领域的8寸PVD磁控溅射设备

广泛应用在高附加价值微电子产业，用于SixNy（含低应力）、SiO2、Poly-Si等薄膜淀积，满足多种高端成膜需求。

SES680A是一款常压硅外延设备，6/8寸兼容、工艺性能优异、连续生产稳定。

EPEE550 是应用于LED、Power、MEMS等领域氧化硅SiO2、氮化硅SiNx、氮氧化硅SiON薄膜沉积的PECVD设备。

APS系列SiC晶体生长系统，是实现高质量SiC晶体生长、高纯度原料合成、高温晶体热处理的专业设备。

THEORIS 302 / FLOURIS 201 低压化学气相沉积系统是高性能、高产能、低维护成本的专业LPCVD炉管设备。

Esther 200是兼容6/8英寸，可实现常压和减压硅外延工艺的专业设备。

THEORIS 302／FLOURIS 201 立式氧化炉是应用广泛、性能优良、产能突出的氧化成膜设备。

THEORIS 302／FLOURIS 201 立式退火炉是在中低温条件下，通入惰性气体（N2），优化硅片界面质量的一种设备。

THEORIS 302 ／FLOURIS 201 低压化学气相沉积系统是高性能、高产能、低维护成本的专业LPCVD炉管设备。

THEORIS 302／FLOURIS 201 立式合金炉是在低温条件下，通入惰性或还原性气体（N2/H2），优化硅片表面的一种设备。

广泛应用在高附加价值微电子产业，用于SixNy（含低应力）、SiO2、Poly-Si等薄膜淀积，满足多种高端成膜需求。

SiC-650系列高温炉，适用于SiC基功率器件制造中的高温工艺环节。

卧式扩散/氧化系统可满足扩散、干/湿氧氧化、退火、合金等多工艺需求，广泛用于IC、POWER、PV、MEMS、LED等领域。

全自动槽式清洗机采用模块化设计，设备产能高，占地面积小。

全自动湿法腐蚀设备搭载多种先进干燥技术，可实现晶片干进干出。

手动槽式清洗机功能灵活，配置丰富，操作界面友好，应用广泛。

手动湿法腐蚀设备尺寸兼容性好，设备稳定性高，腐蚀均匀性好。

超净工作台是种通用型局部净化设备，可提供局部百级洁净工作环境

氮气存储柜是将高纯氮气充入柜内形成微正压，提供干燥无氧的洁净存储空间

通过集中存储各工艺气体钢瓶，来控制管理各工艺气体气路系统,为工艺设备提供配套

通过四探针测试硅单晶的体电阻率，渗杂半导体以及金属薄层电阻

用于对硅片或其他工件表面进行刻蚀或清洗工艺的需求

CS100系列产品采用客户定制化设计并独创零点补偿功能，更好的适应客户环境。

CS200系列是可满足半导体、光伏、真空镀膜高端客户的数字式流量测控产品。

流量显示仪/积算仪是为测控产品提供工作电源、操作控制等的显示仪表。

设备满足原子层沉积工艺要求；可根据客户需求量身定制硬件升级方案。

设备满足科研院所及大专院校对原子层沉积工艺要求；可根据客户需求量身定制硬件升级方案。