化合物半导体材料包括磷化铟（InP）、 砷化镓（GaAs）、 氮化镓（GaN）、锑化镓（GaSb）、锑化铟（InSb）、 碲镉汞（HgCdTe） 等，适合制备高频、高速器件，多应用于光纤通讯、无线通讯、高端功率器件等领域，在未来先进技术领域拥有举足轻重的地位，是提升新一代信息技术核心竞争力的决定性因素之一。在化合物半导体领域，NAURA定制开发了化合物半导体刻蚀机、PECVD系统、槽式清洗系统和卧式扩散/氧化系统，为客户提供全面的设备及工艺解决方案。