半导体装备 Semiconductor

THEORIS A302

12英寸立式低温退火炉

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THEORIS A302 12英寸立式低温退火炉
THEORIS A302 12 Inch  Vertical Low-Temp Anneal Furnace
THEORIS A302立式退火炉在中低温条件下,通入N₂、H₂或D₂等气体,以消除硅片界面处金属及非金属晶格缺陷和晶格损伤,优化硅片界面质量,提升器件良率。该系统具备高精度的温度控制系统、良好的金属控制能力、高稳定的传输系统以及安全的特气处理装置,兼顾了良好的工艺指标、高产能和安全可靠性。
设备特点
  • 先进的压力控制系统
  • 高精度温度场控制技术
  • 先进的颗粒控制技术
  • 可靠的氢气工艺能力技术
  • 大产能
产品应用
  • 晶圆尺寸
    12英寸
  • 适用材料
  • 适用工艺
    低温常/低压工艺、合金、金属/非金属退火、薄片退火
  • 适用领域
    集成电路、先进封装、功率半导体、硅基微型显示
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