半导体装备 Semiconductor

THEORIS X302H

12英寸立式高温氧化炉

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THEORIS X302H 12英寸立式高温氧化炉
THEORIS X302H 12 Inch Vertical High-Temp Oxidation Furnace
THEORIS X302H主要用于12英寸1000℃-1200℃高温和超高温氧化和退火工艺。该机台为立式单腔炉管系统，工艺处理过程实现了高度自动化。系统主要由传输模块、工艺模块、电源柜等部分组成。
设备特点
  • 先进的颗粒控制技术
  • 先进的金属污染控制技术
  • 高精度温度场控制技术
  • 支持快速升/降温度技术
  • 高产能
产品应用
  • 晶圆尺寸
    12英寸
  • 适用材料
    硅
  • 适用工艺
    高温干/湿氧氧化、DCE氧化、掺氮氧化、高温退火
  • 适用领域
    先进集成电路、功率半导体、衬底材料
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