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THEORIS HO302D

12英寸立式低压化学气相沉积高温氧化硅炉

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THEORIS HO302D 12英寸立式低压化学气相沉积高温氧化硅炉
THEORIS HO302D 12 Inch Vertical LPCVD HTO Furnace
THEORIS HO302D通过立式低压化学气相沉积方式实现12英寸晶圆表面氧化硅薄膜的沉积，占地面积小，可大批量处理12英寸晶圆。
设备特点
  • 先进的压力控制系统
  • 高精度温度场控制技术
  • 先进的颗粒控制技术
  • 优良的薄膜均匀性
  • 先进的微环境氧含量控制技术
产品应用
  • 晶圆尺寸
    12英寸
  • 适用材料
    硅
  • 适用工艺
    二氧化硅低压化学气相淀积
  • 适用领域
    集成电路、功率半导体、 硅基微型显示
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