HSE M200 深硅刻蚀机
HSE M200 Deep Silicon Etcher
- 设备特点
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- 双等离子源和双区进气,保证高刻蚀均匀性和高刻蚀速率
- 兼容性强,工艺种类多样,应用领域广泛,系统可靠性强
- 灵活的系统配置,适合研发、中试线、大规模生产线的不同应用
- 低拥有成本和运营成本
- 产品应用
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- 晶圆尺寸8英寸及以下
- 适用材料硅、SOI、SOG
- 适用工艺深硅刻蚀
- 适用领域微机电系统、科研领域