半导体装备 Semiconductor

TENESIS X308H

12英寸立式高温氧化炉

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TENESIS X308H 12英寸立式高温氧化炉
TENESIS X308H TENESIS X308H 12 Inch Vertical High-TEMP Oxidation Furnace
本产品主要应用于12英寸集成电路(IC)领域高温氧化/退火工艺拥有超宽温度区间(200℃-1200℃)。该机台为立式单腔large batch炉管系统,工艺处理过程实现了高度自动化。系统主要由传输模块、工艺模块、电源柜等部分组成。
设备特点
产品应用
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