本产品主要应用于12英寸集成电路（IC）领域原子层氮化硅(SiN)薄膜沉积工艺。支持等离子体增强(PE)或纯热原子层沉积工艺，具备多种元素掺杂技术和膜质优化（氢处理）技术，满足不同场景的工艺需求。该产品可实现凹凸膜分布调整，通过优化气流设计提升片内及片间均匀性。同时可实现全自动工艺运行并兼具原位自清洗功能，有效控制微小颗粒、降低维护时间以提高设备利用率；采用高精度温度场控制、先进的气流场控制和优异的微环境控制技术，可批量处理12英寸晶圆以实现高产能生产。