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12英寸立式中温氧化炉
半导体装备 Semiconductor
THEORIS X302P
12英寸立式中温氧化炉
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公司名称:
THEORIS X302P 12英寸立式中温氧化炉
THEORIS X302P THEORIS X302P 12 Inch Vertical Mid-TEMP Oxidation Furnace
本产品主要应用于12英寸集成电路(IC)领域中温(600℃-1000℃)氧化/退火工艺。该机台为立式单腔炉管系统,工艺处理过程实现了高度自动化。系统主要由传输模块、工艺模块、电源柜等部分组成。
设备特点
先进的颗粒控制技术
高精度温度场控制技术
先进的微环境氧含量控制技术
快速升/降温度技术
高产能
产品应用
晶圆尺寸
12 英寸
适用材料
硅
适用工艺
中温氧化、退火
适用领域
集成电路
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