NMC612E系列是应用于12英寸等离子体干法刻蚀设备。该设备具有更灵活的脉冲等离子体控制技术，实现对等离子成分和离子能量的精确调控，能够实现更小尺寸、更高深宽比刻蚀的精准形貌控制能力，并配备多区温控静电吸附卡盘，实现更精确的温度控制；同时具备高均一气流场控制系统及灵活气流场分布调节能力，可以实现优异的wafer均匀性控制。NMC612E系列设备主要应用于浅槽隔离刻蚀、栅极刻蚀、侧墙刻蚀、自对准多重图形化曝光、钨刻蚀、金属硬掩膜刻蚀、高K值介质刻蚀，应用于Logic、DRAM、3D NAND、微显示、硅光等领域，量产经验丰富。