NMC612D是应用于12英寸硅刻蚀的等离子体干法刻蚀设备。该设备具有脉冲等离子体控制技术，提供灵活的工艺调试能力，能够实现精准的刻蚀形貌控制，并具备多区温控静电吸附卡盘，提高晶圆温度均匀性。NMC612D主要应用于浅沟槽隔离刻蚀，栅极刻蚀、侧墙刻蚀等刻蚀工艺，已在Logic、3D NAND、DRAM、CIS、Power以及硅光等领域实现稳定量产，量产经验丰富。