NMC 508系列CCP刻蚀机主要用于集成电路/化合物半导体/新兴与科研领域6/8英寸介质材料干法刻蚀。使用双频解耦合等离子体源设计，具备更高的射频效率，实现优异的均匀性及高深宽比刻蚀。前后道采用不同频率：前道刻蚀速率快，形貌控制优；后道副产物控制优，MTBC长、CoC低，完整覆盖各类介质刻蚀工艺需求。
