ACE E300 刻蚀设备面向12英寸后摩尔时代逻辑芯片与 3D 结构制程场景，整机搭载超高效率离子过滤硬件模块实现粒子能量精准管控。依托离子过滤精密能量调控核心技术，兼容硅、介质、金属多类薄膜刻蚀及 3D 横向刻蚀工艺，达成超高刻蚀选择比，实现底层/停阶层零等离子损伤，搭配OES Plus监测腔室稳定性，控制刻蚀速率、保障批量工艺一致性。设备实现粒子能量精准可调、超高工艺选择比、底层材料低损伤、批次工艺高重复稳定的核心性能指标，可满足各类高精度刻蚀严苛制程要求。