HSE D300 等离子切割刻蚀设备面向 8/12英寸先进封装 Frame 级等离子切割场景，整机采用电感耦合技术架构，最大可配置 4 个反应腔硬件平台。依托立体高密度双等离子源、优化腔室硬件与成套工艺体系，适配各类封装等离子切割制程，支持并行高效切割，实现无损伤加工，精准把控刻蚀深度、片内均匀性与整片晶圆工艺稳定性，同步优化颗粒管控与成品良率。设备具备等离子密度分布可调、并行高速切割、全自动智能调度量产、低综合拥有及运营成本的核心性能优势。作为该工艺量产专用主力设备，为先进封装等离子体切割刻蚀打造专用高性能解决方案。