HSE P300 深硅刻蚀设备面向12英寸先进封装深硅刻蚀场景，整机采用电感耦合技术架构，最大可配置 6 个反应腔硬件平台。依托立体高密度双等离子源、优化腔室硬件架构与全套工艺方案，兼容各类深硅刻蚀制程，在保障高选择比的前提下实现超高刻蚀速率，精准管控刻蚀深度、片内均匀性与整片晶圆工艺稳定性。设备具备等离子分布灵活可调、高量产产能、低综合拥有与运营成本的核心性能优势。作为先进封装深硅刻蚀量产主力设备，为先进封装深硅刻蚀量产场景提供成熟方案。