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ALS 2001

SiC液相炉

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ALS 2001 SiC液相炉

ALS 2001 SiC Liquid Phase Fumace

适用于6、8、12英寸 SiC 晶体生长

设备特点

技术指标

最高工作温度
2400℃
极限真空
5.0x10⁻⁴Pa
线圈升降
低至50μm/h(线性匀速)
晶圆尺寸
6、8、12英寸
生长腔室
316不锈钢
适用工艺
液相外延法(LPE)
适用材料
碳化硅

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