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化合物半导体 Compound Semi
  化合物半导体材料包括磷化铟(InP)、 砷化镓(GaAs)、 氮化镓(GaN)、锑化镓(GaSb)、锑化铟(InSb)、 碲镉汞(HgCdTe) 等,适合制备高频、高速器件,多应用于光纤通讯、无线通讯、卫星通讯、高端功率器件等领域,在未来尖端技术领域拥有举足轻重的地位,是提升新一代信息技术核心竞争力的决定性因素之一。在化合物半导体领域,NAURA定制开发了化合物半导体刻蚀机、PECVD系统、槽式清洗系统和卧式扩散/氧化系统,为客户提供全面的设备及工艺解决方案。