近年人工智能迅猛发展，2.5D和3D封装技术革新了芯片互联方式，成为突破集成电路发展制程瓶颈的关键。TSV（硅通孔）技术作为先进互联方式，在3D IC封装如HBM（高带宽内存）[1]以及2.5D封装技术如CoWoS[2]中起着至关重要的作用，推动了集成电路产业发展，市场空间广阔[3]。
[1] HBM是一种先进的内存技术，指将DRAM（动态随机存储器）芯片垂直堆叠至逻辑芯片旁，大幅增加内存带宽，满足了高性能需求。
[2] CoWoS是一种2.5D封装技术，它突破了传统单一封装芯片的局限，通过硅中介层实现不同芯片的高度集成和高效互联。
[3] TrendForce（集邦咨询）预计2023年全球HBM需求量将年增近六成，2024年将再增长30%。
北方华创推出的12英寸深硅刻蚀机PSE V300，历经迭代，已获得国内多家12英寸先进集成电路厂商的认可，成为TSV量产生产线主力机台，并扩展至功率器件、CIS（CMOS Image Sensor，图像传感器）等领域，全面应用于国内各大12英寸主流Fab厂。截至目前，设备装机量已超百腔，市占率逐年提升，深受客户认可。
PSE V300机台采用快速气体和射频切换控制系统结合的方式，能在大于50:1高深宽比深硅刻蚀中精准控制侧壁形貌，实现侧壁无损伤和线宽无损伤，其工艺性能优于当前行业指标，刻蚀均匀性、选择比更佳。
在结构系统方面，PSE V300采用每腔单片设计，具有更好的气流场均匀性和真圆度工艺表现，确保半导体器件制造工艺质量和稳定性更优。机台可同时配置6个腔室，产能、性能优异。此外，通过优化机台晶圆边缘保护装置，提高产品良率，效果优于当前行业产品指标，广受市场好评。
未来，北方华创将持续投入研发力量，以实现刻蚀机技术的新突破，力求以更优质的设备，为半导体产业的发展提供坚实的保障，推动产业进步，创造无限可能。
