半导体装备 Semiconductor

VERIC O6151A

SiC高温氧化炉

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VERIC O6151A SiC高温氧化炉
VERIC O6151A SiC High-Temp Oxidator Furnace
VERIC O6151A SiC高温氧化炉具有无金属、抗腐蚀的工艺室及真空密闭的加热系统设计,确保有毒和可燃性气体安全使用。主要应用于化合物半导体、衬底材料、科研领域中的高温氧化工艺,支持1500℃持续高温氧化工艺,持续时间≥10小时。
设备特点
  • 温度可达1500℃,温区均匀性±1℃
  • 膜厚均匀,WIW WTW 和RTR 一致性好
  • 石墨电阻加热,工艺腔室洁净
  • 自动装片,Cassette to Cassette
  • 安全设计,符合CE\SEMI S6 标准
产品应用
  • 晶圆尺寸
    4/6英寸兼容
  • 适用材料
    碳化硅
  • 适用工艺
    干氧氧化 、湿氧、Ar/N₂ 退火、NO/N₂O 退火、H₂ 退火、DCE清洗
  • 适用领域
    化合物半导体、衬底材料、科研领域
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