半导体装备 Semiconductor

THEORIS A302C

12英寸立式PI固化炉

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THEORIS A302C 12英寸立式PI固化炉
THEORIS A302C 12 Inch Vertical Polyimide Cure Furnace
THEORIS A302C立式退火炉在中低温条件下,通入N₂、H₂或D₂等气体,消除硅片界面处金属及非金属晶格缺陷和晶格损伤,优化硅片界面质量,提升器件良率。该退火设备提供高精度的温度控制算法、严格的金属控制指标、稳定的传输控制系统以及安全的特气处理装置等解决方案,兼顾了工艺目标的实现与生产可靠性的保障。
设备特点
  • 高精度温度场控制技术
  • 先进的颗粒控制技术
  • 高效的副产物收集技术
  • 先进的氧含量控制技术
产品应用
  • 晶圆尺寸
    12英寸
  • 适用材料
  • 适用工艺
    PI胶固化
  • 适用领域
    集成电路、 功率半导体
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