GSE C200采用高密度等离子体源，刻蚀速率高、均匀性好、颗粒控制能力强、易维护、性能稳定。其在硅、氧化硅、氮化硅、氮化镓、砷化镓、磷化铟、铌酸锂、金属、有机物等多种材料的刻蚀上性能优良。本刻蚀机已进入多家IC Fab主流产线以及化合物等新兴应用量产产线，具有快速导产能力，同时针对大学、科研院所提供高性价比配置。
