半导体装备 Semiconductor

GDE C200

高密度刻蚀机

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GDE C200 高密度刻蚀机
GDE C200 High Density Etcher
GDE C200是应用于化合物半导体、科研领域的全自动化高密度等离子体高速刻蚀机。该机台为多腔室集群设备，能够进行全自动并行工艺处理。设备可兼容4/6/8寸晶圆，高密度等离子体设计适用于强键合材料刻蚀。
设备特点
  • 高密度等离子体设计适用于强键合材料刻蚀
  • 优秀的刻蚀速率、刻蚀均匀性、PM 周期
  • 灵活的系统配置，适合研发、中试线、大规模生产线的不同应用
  • 低拥有成本和运营成本
产品应用
  • 晶圆尺寸
    8 英寸及以下
  • 适用材料
    碳化硅、氮化硅、铝钪氮、钼、铝氮、锆钛酸铅、氧化铝、氮化镓等
  • 适用工艺
    碳化硅通孔刻蚀、碳化硅栅槽刻蚀、钼-铝氮电极刻蚀等
  • 适用领域
    化合物半导体、科研领域
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