半导体装备 Semiconductor

HSE P300

深硅刻蚀机

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HSE P300 深硅刻蚀机
HSE P300 Deep Silicon Etcher
HSE P300主要用于12英寸硅刻蚀。采用Cluster结构布局，能够减小占地，提升产能。系统主要由传输模块、工艺模块、灰区部件、电源柜等组成。可实现自动化地上下料及自动工艺。
设备特点
  • 使用立体高密度等离子源，大幅提升刻蚀速率
  • 双等离子源和双区进气，确保较高的均匀性
  • 全自动化软件控制，高产能
  • 低拥有成本和运营成本
产品应用
  • 晶圆尺寸
    8/12英寸兼容
  • 适用材料
    硅、氧化硅、氮化硅
  • 适用工艺
    深槽刻蚀、深孔刻蚀、扇出型封装硅载体刻蚀、露铜刻蚀等
  • 适用领域
    先进封装
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