半导体装备 Semiconductor

PSE V300

深硅刻蚀机

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PSE V300 深硅刻蚀机
PSE V300 Deep Silicon Etcher
PSE V300主要用于12英寸深硅刻蚀,同时兼具Bosch/Non-Bosch工艺,实现多工艺领域覆盖。该机台针对Bosch循环工艺方式采用专业先进的快速响应硬件配置及软件流程控制,结合先进的工艺技术,可实现超高深宽比下良好的工艺性能,配置多腔平台,满足大产能量产使用需求。
设备特点
  • 兼容Bosch/Non-Bosch工艺,实现多工艺领域覆盖
  • 优化的进气系统和ESC系统,提高均匀性
  • 快速进气系统,确保刻蚀速率高,Scallop小
  • 实现高深宽比的形貌控制
产品应用
  • 晶圆尺寸
    8/12 英寸兼容
  • 适用材料
    硅、氧化硅、氮化硅
  • 适用工艺
    2.5D&3D TSV刻蚀、深槽隔离/电容刻蚀、MEMS刻蚀
  • 适用领域
    集成电路、先进封装、功率半导体、图像传感器、微机电系统
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