GSE V200高精度等离子体刻蚀机适用于8英寸低损伤刻蚀工艺。设备具备优异的刻蚀均匀性，良好的颗粒控制能力，宽阔的工艺窗口及精确的形貌控制能力；该设备为多腔室集群设备，具备全流程的自动化解决方案。设备刻蚀材料包括GaN，SiO₂，SiN，TiO₂，TiW，AlGaInP，GaP， GaAs，AlGaN，AlN，PI等，已广泛应用于化合物半导体、Micro LED、GaN功率器件、GaN射频器件等制造中的关键工艺。