半导体装备 Semiconductor

AGF Series

电阻式SiC长晶炉

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AGF Series 电阻式SiC长晶炉
AGF Series Resistance SiC Crystal Growing Furnace
AGF电阻式SiC长晶炉适用于6/8英寸导电和高纯半绝缘型SiC晶体生长，多加热器设计允许灵活的工艺和热场设置，下装载结构可实现便捷的开装炉及维护操作，同时设备拥有高精度控温、控压能力，工艺性能稳定优良。
设备特点
  • 适用于6、8英寸，导电/高纯半绝缘型SiC晶体生长
  • 4组加热器独立控制，灵活的温场调节能力
  • 坩埚系统具备升降、旋转功能，温场更均匀
  • 下装载，上维护，操作便捷
产品应用
  • 晶体尺寸
    6、8 英寸
  • 适用材料
    碳化硅
  • 适用工艺
    物理气相输运法（PVT 法）
  • 适用领域
    化合物半导体、科研、衬底材料
  • 加热方式
    电阻加热
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