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北方华创新一代SiC晶体生长系统,为第三代半导体领域再添新秀
发布时间:2019-07-23
   随着电动汽车、5G通信、高速轨道交通、新能源、智能电网等领域的不断发展,市场对功率、射频器件的性能提出了更高的要求。受到硅(Si)材料的物理特 性所限,传统Si基器件难以实现更高的性能。而碳化硅(SiC)作为第三代半导体的代表性材料,可以在功率器件、射频通信等领域实现传统Si材料难以达到 的优异性能,获得了产业界的一致认可和推广。


   SiC材料具有宽禁带、高临界场强、高热导率、高饱和迁移率、高抗辐射能力等性能。SiC的禁带宽度是Si的3倍、临界击穿场强是Si的10倍、热导率 是Si的3倍。凭借SiC的优异性能,SiC器件不仅可以在高电压、高温、强辐射等Si基器件难以达到的领域发挥效果,更能够在电动汽车、5G通信、高速 轨道交通等对高性能、高频率、大功率性能需求不断提高的领域代替传统Si基器件。



  目前,两大问题制约了SiC材料的大规模应用,分别是较高的成本和亟待优化的缺陷水平。北方华创针对这两大问题,推出了自主研发的新一代设备:APS Plus系列SiC晶体生长系统(Advanced PVT SiC System)和工艺解决方案。



  北方华创APS Plus系列产品基于行业内技术最成熟、应用最广泛的物理气相输运法(PVT法),通过硬件设计优化和工艺研发,为长期困扰SiC行业的高成本、低质量的 两大问题带来了新的解决方案,帮助客户在激烈竞争的第三代半导体材料领域提升行业竞争力。同时亦通过设计模块化架构、高精度温度/功率/电流控制、自动化 软件系统等方案,为客户降低了SiC晶体的制造成本。设备兼备灵活精密的温度场调控系统、巧妙设计的腔室系统、独特的SiC工艺等方案,可让用户获得高质 量的SiC晶体。




  为满足用户对SiC晶体生长的更高需求,北方华创APS Plus系列产品在为客户提供4/6英寸SiC晶体的“原料合成—晶体生长—晶体退火—晶体加工”全流程一体化的工艺解决方案的基础上,维护简便,最大限 度减少了耗材使用,是省钱、省时、省心的一站式解决方案。
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