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HSE系列等离子刻蚀机 HSE Series Plasma Etcher
  HSE 200/230设备是针对MEMS先进封装领域开发的深硅刻蚀设备,主要用于8英寸以下MEMS刻蚀,以及8-12英寸先进封装硅刻蚀。设备针对研发/中试线/量产领域可以灵活配置平台方式。HSE 200/230采用双等离子源设计,能够实现先进封装领域硅材料高速、高产能的需求,同时保证200mm/300mm晶圆的均匀性控制。同时采用脉冲偏压设计,保证TSV高深宽比及优异的形貌控制。目前HSE 200/230已在客户现场大规模使用,设备稳定性、重复性、产品生产良率等均满足用户需求。

应用领域

  先进封装,微机电系统


产品优势

  • 中心/边沿独立MFC及独立射频结构,针对各种MEMS工艺实现均匀性可调。
  • 采用2200L/s大抽速分子泵,工艺窗口更宽。
  • 采用快速MFC进气,保证工艺形貌满足要求。
  • 封装工艺配置高性能静电卡盘,实现SOG晶圆的稳定吸附。
  • MEMS设备配置独特工艺制程,能够实现高达70:1的深宽比刻蚀,同时确保高刻蚀速率及低粗糙度形貌控制。
  • 针对SOI Wafer,采用低频脉冲偏压设计,确保SOI晶圆的无底切效应。
  • 软件具有安全方便的权限管理,人性化的操作界面和完善的日志记录功能,支持工厂自动化(FA)。


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