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Promi 系列ALD 系统 Promi series ALD system


Promi系列ALD设备是设计适用于科学研究、企业研发和大规模自动化生产的灵活、可靠的原子层沉积ALD工艺平台。该设备非常适合从研发阶段的薄膜沉积扩大到大规模的工业化生产。

区别于普通CVD或PECVD原理,ALD可沉积超薄的、高深宽比的膜层。Promi系列ALD设备是用加热的方式,通过在工艺循环周期内分步向真空腔内添加前驱体、实现对膜层厚度的精确控制,可用于沉积Al2O3、HfO2、ZrO2、TiO2、TiN、TaN和ALN等多种薄膜。

Promi系列ALD设备通过独特的气路、腔体结构设计、配合相应的工艺配方,成功实现了不同薄膜的沉积厚度可控性;此设备可升级更多的前驱体源和气路、高真空泵、原位清洗和其他选项;特殊设计的进气结构,解决了传统腔室的颗粒问题,使之具有良好的洁净度,改善产品的电性能和良率;设备系统易于安装维护,大大提高了装机和PM的周期。


应用领域:

  集成电路, 半导体照明,功率半导体,微机电系统,先进封装


适用工艺:

  Hi-K介质材料,金属栅极,阻挡层,掩膜,钝化层



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