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THEORIS 302 /FLOURIS 201 立式氧化炉 THEORIS 302/FLOURIS 201 Vertical Oxidation Furnace
  立式氧化炉(300mm/200mm)是在中高温下通入特定气体(O2/H2/DCE),在硅片表面发生氧化反应,生成二氧化硅薄膜的一种设备。生成的二氧化硅薄膜可以作为集成电路器件前道的缓冲介质层、牺牲氧化层和栅氧化层。

  随着集成电路制造工艺要求的提高,特征尺寸不断缩小,对高端集成电路工艺处理设备的需求也越来越强烈。相比较传统炉管设备,立式氧化炉具备其独特优势:高效生产性能,高精度温度控制性能,良好成膜均匀性能,先进颗粒控制技术,完整的工厂自动化接口等。北方华创立式氧化炉的出现,打破了长久以来的国外垄断局面,推动了国内半导体事业的蓬勃发展,产生了可观的经济效益。

应用领域

  28nm及以上的集成电路、先进封装、功率器件


适用工艺

  干氧氧化、湿氧氧化、DCE氧化、氮氧化硅氧化


产品优势
  • 高精度温度场控制技术。
  • 优良微环境低氧控制技术。
  • 良好的薄膜均匀性控制技术。
  • 先进的颗粒控制技术 。
  • 支持天车(OHT)自动化系统 。
  • 高产能(125 Wafer/Batch的产品能力)。
  • 良好的可维护性(Side by Side)。




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